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时间:2026-09-29 06:02:21 来源:网络整理 编辑:全览
6月25日,IBM宣布在半导体技术领域取得重大突破,推出了全球首款“亚纳米”sub-1nm)芯片工艺技术。该技术采用了革命性的“三维垂直堆叠”NanoStack)晶体管架构,直接跨越至0.7纳米即7埃
6月25日,布全IBM宣布在半导体技术领域获得重大突破,球首推出了全球首款“亚纳米”(sub-1nm)芯片工艺技术。款亚该技术采用了革命性的纳米“三维垂直堆叠”(NanoStack)晶体管架构,直接跨越至0.7纳米(即7埃米,芯片Angstrom)节点。技术
通过这种新型3D架构,布全IBM胜利在指甲盖大小的球首芯片上集成了近1000亿个晶体管,晶体管密度较其2021年推出的款亚2纳米芯片整整翻了一番。根据测试数据,纳米与2纳米芯片相比,芯片该技术预计将带来最高50%的技术性能提升,或降低达70%的布全能耗,同时使SRAM(静态随机存取存储器)的球首面积缩减40%,这将为亟需高带宽、款亚低能耗的AI算力芯片注入强劲动力。
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